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Riken keiKi半導體式原理
【原理】
金屬通過加熱線圈加熱到350-400°C,在氧化物的半導體表面上，
大氣中的氧氣為O-和O2-的形式,半導體保持恆定的電阻值。
當甲烷氣體等與該表面接觸或化學吸附時，
它被使用中的O2離子氧化並釋放。
此時在傳感器表面發生以下反應。
CH4 ＋ 4O2-→CO2 ＋ 2H2O ＋ 8e
換句話說,甲烷氣體被吸附在傳感器表面以吸附氧氣。
電阻值隨著傳感器內部自由電子數量的增加而減小。
通過測量該電阻值的變化,便可以計算出氣體濃度。



 
 
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